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无线电电子学论文_Ⅱ类超晶格探测器芯片背增技

来源:光学与光电技术 【在线投稿】 栏目:期刊导读 时间:2022年01月06日 11:20:09
【作 者】:网站采编
【关键词】:
【摘 要】:文章目录 0 引言 1 背增膜的膜系设计及制备技术 1.1 超晶格芯片的结构图 1.2 光学薄膜的膜系设计 1.2 背增膜的制备 1.2.1 背增膜薄膜材料的选择 1.2.2 背增膜的制备工艺 2 背增膜光谱测试

文章目录

0 引言

1 背增膜的膜系设计及制备技术

1.1 超晶格芯片的结构图

1.2 光学薄膜的膜系设计

1.2 背增膜的制备

    1.2.1 背增膜薄膜材料的选择

    1.2.2 背增膜的制备工艺

2 背增膜光谱测试及薄膜牢固度试验

2.1 光谱测试

2.2 薄膜牢固度实验

3 结论

文章摘要:主要介绍了Ⅱ类超晶格探测器芯片双波段背增膜在探测器中的作用及其膜系设计与制备工艺。该膜的作用是减小探测器芯片表面在响应波段(3~5μm及7~9μm)对红外光的反射率,增强芯片的光响应率,从而提高芯片性能。研究并解决了背增膜在设计与制备工艺中的主要技术问题。根据探测器的使用环境对薄膜进行了相应的牢固性实验及测试。结果表明,此薄膜的光谱响应率和牢固度能充分满足探测器的要求。目前这项背增透薄膜制备工艺已是Ⅱ类超晶格探测器生产中不可缺少的工艺步骤,应用前景良好。

文章关键词:

论文分类号:TN405;TN215

文章来源:《光学与光电技术》 网址: http://www.gxygdjs.cn/qikandaodu/2022/0106/755.html

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